上海贝岭股份有限公司
SHANGHAI BELLING CO.,LTD.
上海贝岭创建于1988年，是国内集成电路行业首家上市公司。专注于集成电路芯片设计和产品应用开发，拥有国家级企业技术中心，在上海、北京、南京、深圳、成都、西安，无锡等地建有研发中心。
公司主要产品方向为电源管理、信号链产品和功率器件三大类别，包括了电源管理芯片、数据转换器芯片、电力专用芯片、物联网前端计量芯片、标准信号接口芯片、电机驱动芯片、非挥发存储器及功率器件等细分产品类别。公司围绕汽车电子、工控储能、能效监测、家电、网通与智能终端等应用，为相关客户提供丰富的产品解决方案。
公司在生产运营、质量管理与客户服务方面拥有丰富的实践经验与保障能力。公司倡导绿色环保的发展观念， 2010年开始，公司主动升级产品环保标准，公司产品全部满足ROHS、无卤、REACH等环保标准。公司也高度重视体系建设，公司相继在1993年通过ISO9001认证，2004年通过ISO14001环境管理系列标准，2024年通过了ISO 26262功能安全管理体系ASIL D认证，2025年通过绿色供应链管理体系等认证。
Shanghai Belling Co., Ltd., founded in 1988, is the first listed company in China's integrated circuit industry. Specializing in IC chip design and application development, the company operates a national-level enterprise technology center and has established R&D facilities in Shanghai, Beijing, Nanjing, Shenzhen, Chengdu, Xi'an, and Wuxi.
Shanghai Belling focuses on three core product categories: power management, signal chain products, and power devices.
产品展示
-
BLG40T120FDK5
BLG40T120FDK5是一款电压等级为1200V、电流为40A的Trench FS IGBT，采用了第五代微沟槽多层场截止IGBT技术，具有开关速度快、关断损耗小、导通电压低等特点，可满足客户高效率设计要求；终端采用了电场优化技术，提升了产品的可靠性，满足HV-H3TRB等可靠性要求。适用于光伏逆变，PCS，开关电源逆变器，工业焊机等高频应用。
-
BLG40T120FDL5
BLG40T120FDL5是一款电压等级为1200V、电流为40A的Trench FS IGBT，采用了第五代微沟槽多层场截止IGBT技术，优化了导通损耗和开关损耗，实现了更好的输出特性；cell设计进行了优化设计，可以达到10us以上的短路耐受时间；终端采用了电场优化技术，提升了产品的可靠性，满足HV-H3TRB等可靠性要求，可满足客户高可靠性、低导通损耗，强短路能力的设计要求。适用于通用变频器，三相全桥逆变等应用。
-
BLG80T65FDK7
BLG80T65FDK7是一款电压等级为650V、电流为80A的Trench FS IGBT，采用了第七代微沟槽多层场截止IGBT技术，具有开关速度快、关断损耗小、导通电压低等特点，可满足客户高效率设计要求；终端采用了电场优化技术，提升了产品的可靠性，满足HV-H3TRB等可靠性要求。适用于充电桩，工业焊机等高频应用。
-
BLG80T65FDL7
BLG80T65FDL7是一款电压等级为650V、电流为80A的Trench FS IGBT，采用了第七代微沟槽多层场截止IGBT技术，具有导通电压低，短路性能强等特点，终端采用了电场优化技术，提升了产品的可靠性，满足HV-H3TRB等可靠性要求，可满足客户高可靠性、高短路耐量的设计要求。适用于电机驱动，通用驱动，通用变频器等有短路要求的应用。
-
BLQG160T75FDL7
BLQG160T75FDL7是一款电压等级为750V、电流为160A的车规级Trench FS IGBT，采用了第七代微沟槽多层场截止IGBT技术，具有导通电压低，短路性能强等特点，终端采用了电场优化技术，提升了产品的可靠性，满足HV-H3TRB等可靠性要求，可满足客户高可靠性、高短路耐量的设计要求。适用于通用驱动，工业、农业车主驱等有短路要求的应用。
-
BLQGMS820T75FEDL7
BLQGMS820T75FEDL7是一款电压等级为750V、电流为820A的车规级Trench FS IGBT模块，采用HPD封装形式。IGBT芯片采用了第七代微沟槽多层场截止IGBT技术，优化了导通压降和开关损耗，实现更好的输出特性；优化了cell设计，改善了IGBT的短路能力，在50-400V不同母线电压，0.75-20Ω不同电阻条件下，均无震荡现象；终端采用了电场优化技术，提升了产品的可靠性，满足HV-H3TRB等可靠性要求，可满足客户高可靠性、高短路耐量的设计要求。适用于电动或者混动汽车主驱逆变回路。
-
BLC13N120
BLC13N120是一款电压等级为1200V、导通电阻为13mohm的N沟道增强型平面SiC MOSFET，具有低导通电阻、高阻断电压和低栅极电荷等优点，开关性能优越。在固态断路器、高压DC-DC转换器以及谐振拓扑等应用中广泛使用。
-
BLCMF011N120DG2
BLCMF011N120DG2是一款电压等级为1200V、导通电阻为11mohm的SiC MOSFET模块，该模块采用紧凑的半桥拓扑结构，具有低的开关损耗和导通损耗，支持高频开关，在高效转换器、光伏逆变器和智能电网等领域，凭借SiC材料的优异特性，可在高温环境下稳定运行，同时减少散热需求，帮助客户简化系统设计并降低总成本。