瑞能半导体科技股份有限公司
WeEn Semiconductors
瑞能半导体科技股份有限公司，注册于2015年8月5号，运营中心落户上海，全资子公司和分支机构，包括吉林芯片生产基地，香港子公司，上海和英国产品及研发中心，东莞物流中心，以及遍布全球其他国家的销售和客户服务点。
2018年9月，瑞能半导体可靠性测试实验室及失效分析实验室在江西省南昌县正式开业， 可以对包括二极管，三极管以及可控硅等分立器件产品进行可靠性测试以及失效分析。
自诞生以来，瑞能已走过逾 50 年辉煌历程。作为全球功率半导体行业的佼佼者，瑞能始终专注于研发行业领先、广泛且深入的功率半导体产品组合，公司主要产品主要包括碳化硅器件，可控硅整流器和晶闸管，快恢二极管，TVS,ESD，IGBT,模块等。产品广泛应用于以家电为代表的消费电子、以通信电源为代表的工业制造、新能源及汽车等领域。瑞能始终以优化客户体验，提升运营效率，强化核心技术为目标，推动全球智能制造行业的向前发展！
WeEn Semiconductors Co., Ltd was registered as a company on Aug 5, 2015. WeEn's global footprint has an operational headquarters in Shanghai and wholly owned subsidiaries and centers throughout the world.
With a heritage of over 50 years in semiconductor development and manufacturing, WeEn as a key player has focused on developing a wide and deep portfolio of industry-leading power products including Silicon Carbide Power Devices, Silicon Controlled Rectifiers and Triacs, standard and fast recovery Power Diodes , TVS and ESD protection Devices and IGBTs and modules.
All these products are widely used in the markets for telecommunications, computers, consumer electronics, intelligent home appliances, lighting, automotive and power management applications.
产品展示
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瑞能SiC MOSFET & Diodes
• 瑞能SiC MOSFET & Diodes产品电压平台包括650V/750V/1200V/1400V/1700V/2200V
• 目前瑞能Gen6 SiC Diodes产品拥有1.26V超低VF，Gen2 SiC MOSFET产品拥有业内领先的3.1mΩ·cm2比导电阻率
• 拥有先进的晶圆减薄及银烧结封装工艺，产品具备更低的封装热阻和导通阻抗
• 优化了晶圆结构，产品拥有更强的短路耐受能力和器件可靠性
• 主要面向光伏、储能、充电桩、新能源汽车、高效率电源等电力电子应用
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瑞能SiC顶部散热产品
• 应用于SiC二极管和SiC MOSFET产品中，产品电压等级覆盖650V，750V，1200V
• 提供更灵活的系统散热方案，可实现更低的系统热阻
• 可降低选型规格，优化系统成本
• 可以实现更低的EMI辐射
• 更低的回路电感
• SiC二极管和MOSFET采用同封装，可共用散热面
• 丰富的产品列表，包含工规和车规产品
• 主要面向车载应用，光伏储能设备，高功率密度电源产品等
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WeEnPACK-B1 & WeEnPACK-B2 碳化硅功率模块
• 内置NTC温度传感器
• 提供焊接针和Pressfit针型
• 多种DBC陶瓷材质可供选择
• 提供高性能预涂导热硅脂产品形式
• 更高的功率密度，可降低总体系统成本
• 更灵活的设计方案，可接受高度客制化定制
• 丰富的模块设计经验，保证模块优异的可靠性
• 适用于大功率充电桩，电焊机，UPS，电力有源滤波器等应用
• 导通阻抗覆盖4~60mΩ，电压平台包括1200V&650V，提供多种拓扑类型