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北京矽成半导体有限公司
ISSI成立于1988年,是全球技术领先的集成电路设计企业,其分支机构分布于中国大陆、中国台湾、美国、欧洲、以色列、韩国、日本、新加坡、印度等全球各地。目前为北京君正集成电路有限公司全资子公司。 ISSI专注于高性能、高品质、高可靠性的各类存储芯片(DRAM, SRAM, Flash等)的研发、设计和销售,另有子品牌LUMISSIL专注于模拟混合信号芯片的研发和销售。产品主要面向全球汽车电子、工业、医疗、网络通信及特定消费类市场。 ISSI致力于为客户提供更长生命周期的高品质产品,所有车规级产品全部通过AEC-Q100认证,并提供PPAP。公司通过了ISO 9001、ISO 14001认证,同时合作伙伴也全部通过IATF 16949认证。ISSI具有内建ECC(纠错)功能的4Gb DDR3 成功完成了ISO 26262 ASIL-B的产品认证,为国内同类产品中首家通过该汽车功能安全认证的供应商。 2022年,ISSI荣获中国IC设计成就奖之 “中国半导体20年特殊贡献奖”,32Mb串口RAM产品荣获中国IC设计成就奖之“年度最佳存储器”,512Mb SPI Nor Flash产品荣获中国芯“优秀市场表现产品-汽车市场”奖 。
查看产品详情SRAM-静态随机存储器SRAM-静态随机存储器,包括同步和异步两类。静态存储器有可靠性高、延时短、简单易用的特点,被用于汽车、通信、网络、工业医疗等领域。ISSI全系均可提供符合AEC-Q100标准的车规级产品,高温可以支持到125摄氏度,为在恶劣工况下可靠工作提供了根本保证。ISSI为客户提供完善的产品组合,包括: o 异步SRAM: 高速SRAM、低功耗SRAM、带有纠错(ECC)功能的SRAM、PSRAM、HyperRAM、Octal RAM以及SerialRAM. o 同步SRAM: Pipeline、Follow-Through、No-Wait、DDRII/QUAD及DDRIIP/QUADPDRAM-动态随机存储器DRAM-动态随机存储器, 适用于对存储容量要求较高的应用,如数据处理、影音娱乐、视频仪表盘等。ISSI专注为汽车、工控、医疗及通讯客户设计高可靠性SDRAM产品,全系产品符合AEC-Q100标准。ISSI全系均可提供符合AEC-Q100标准的车规级产品,是业界最早推出可以支持到115摄氏度高温DRAM产品的供应商,目前部分产品可以支持到125摄氏度,为在恶劣工况下可靠工作提供了根本保证。ISSI为客户提供完善的产品组合,包括: o 标准型DRAM: EDO/FP、SDR、DDR、DDR2、DDR3/3L、DDR4、带有纠错(ECC)功能的DDR3. o 移动型DRAM: Mobile SDR、LPDDR、LPDDR2, LPDDR4/4X、带有纠错(ECC)功能的LPDDR4/4X. o 低延时DRAM: RLDRAM® 2、RLDRAM® 3.Flash-闪存Flash-闪存,属于非挥发性存储器件, 用于代码及数据的存储。SPI NOR具有信号引脚少、设计简单、速度快、支持片内执行等优点,被用于汽车、通信、网络、工业医疗及消费电子等领域。ISSI的SPI NOR Flash有多种封装可选,全系均可提供符合AEC-Q100标准的车规级产品,高温可以支持到125摄氏度,为在恶劣工况下可靠工作提供了根本保证。ISSI可提供的Flash产品包括: o 1.8V串行Flash: SPI NOR Flash,容量从2Mb到1Gb,全系支持QPI/Quad I/O o 3.3V串行Flash: SPI NOR Flash,容量从512Kb到1Gb,全系支持QPI/Quad I/O o 3.3V RPMC Flash: 128Mb – 256Mb o ECC 串行Flash: SPI NOR Flash with ECC, 容量从128Mb到1Gb o Octal Flash: 支持1.8V/3.3V, 容量从64Mb 到 512Mb o 并行 Flash: Parallel(ISA) NOR Flash, 容量从32Mb 到 256Mb o NAND Flash: 支持串行、并行接口, 容量从1Gb 到8Gb o eMMC: 容量从8GB到128GB, 支持eMMC 5.0, eMMC 5.1, 支持车规 -40~105摄氏度,153-ball、100-ball BGA封装 -
赛卓电子科技(上海)股份有限公司
赛卓电子科技(上海)股份有限公司成立于2011年,总部位于上海临港新片区,并在上海漕河泾开发区、西安和深圳等地设有研发及销售中心。赛卓电子是国内最早面向汽车电子的集成电路(IC)设计公司之一,致力于为客户提供完整的车规级芯片解决方案,主要产品包括传感器芯片、电源管理芯片、电机驱动芯片及其它高性能模拟以及数模混合芯片等,广泛应用于汽车电子、工业控制等领域。 公司具备优异的产品研发能力,研发团队占公司员工数量超 45%,拥有发明专利44项(含实审),实用新型:15件(含申请),软件著作权27件,集成电路布图设计登记证书51件(含申请),除车规传感器领域,赛卓电子目前已布局车规高端模拟芯片,如电源、驱动、隔离、接口等产品线。秉持“聚焦客户,诚信务实,团队协作,专注创新”的价值观,通过技术创新和成本创新,持续为客户提供完整的车规级解决方案,创造最大价值。
查看产品详情两线高精度差分式轮速传感器SC964XSC964X是一款基于脉冲宽度调制 原理(PWM)的两线制电流输出型轮速传感 器,适用于检测转动速度和转动方向的 ABS 系统。传感器不需要外部元件,上电时间快,工作频率范围宽。芯片采用高压 BiCMOS 工 艺,具有高 ESD 和 EMC 防护能力,全温下 出色的精度和灵敏度特性使其非常适用于恶 劣的汽车电子环境。ABS轮速传感器单车需求4或8颗芯片,且为强制安装,属于安全等级较高的零部件。 产品所采用的关键技术: 动态自矫正功能、输出端抗电磁干扰、超薄封装电流型霍尔开关SC25891SC25891是基于BCD工艺的单极电流型磁传感器开关,该装置集成了电压调节器,动态偏移消除系统、施密特触发器和开放漏极输出驱动器; 在全工作电压和工作温度范围内具有很高的磁场一致性和对称性, 同时具有高 EMC防护能力。 应用领域:汽车安全带插销、座椅位置传感器、门把手位置传感器等 产品所采用的关键技术: BCD工艺、对称性技术、温度补偿技术高精度可编程角度传感器SC69401SC69401内部集成差分霍尔感应矩阵,通过感应一对极S/N磁铁产生相应的正弦和余弦信号,然后经内部放大&模数转换电路采样并输出;输出任意点可编程,最多可提供32个校准点;内部集成多个自检诊断模块,提高芯片安全性。符合ISO26262,ASIL-B诊断要求。 应用领域:汽车节气门等执行器、换挡器、油门踏板等 产品所采用的关键技术: 霍尔矩阵技术,多点编程技术、温度补偿技术 -
上海晟矽微电子股份有限公司
上海晟矽微电子股份有限公司(股票简称:晟矽微电,股票代码:430276)创立于2010年11月26日,是经工信部认定的集成电路设计企业。2013年8月8日,晟矽微电成功在全国中小企业股份转让系统挂牌。2013年9月,公司被认定为上海市高新技术企业。 晟矽微电专注于研发高抗干扰性、高可靠性的通用型及专用型的8位和32位微控制器产品(MCU),并为客户提供相关的应用开发工具和整机系统方案。同时,在整合现有产品技术的基础上,公司逐步加大研制基于物联网架构的智能家居领域产品,致力于成为智能家居及物联硬件基础方案提供商。 公司MCU产品划分为通用类MCU、专用类MCU和ASIC产品三大类。目前公司的主要产品应用从遥控器锂电数码、小家电、消费类等领域逐步拓展到智能家居、工业控制、汽车电子等领域。 公司主营产品拥有自主知识产权,已形成了较全面的知识产权管理体系。截至2022年10月,公司包括全资子公司共获得18项发明专利权、40项实用新型专利权、78项布图设计专有权和13项计算机软件著作权。 经过多年的积累,公司终端用户遍布全国多个省、市、自治区,如中国电信、华为、罗技、小米、奥飞娱乐、美的、奔腾、海信、TCL、九阳、雅乐思、爱仕达、康佳、创维、雷士照明、木林森照明、电将军、盛世名门等业内知名企业。 公司持续加大研发投入,始终致力于为客户提供无处不在的高性价比的智能控制芯片,并成为绿色低碳生活的芯能量,不断与合作伙伴相互成就、持续共赢。 公司管理团队和核心技术人员大都曾服务于半导体业界知名企业,包括上海贝岭、中颖电子、华虹半导体、飞思卡尔等,在集成电路行业有至少15年以上新品研发、技术管理及企业管理的丰富经验。公司将继续发挥长期积累的供应链优势和人才优势,与伙伴们一起共创、共舞、共生、共享,为中国芯的建设与发展持续贡献晟矽力量。
查看产品详情通用型MCU- MC51F70851T 8051内核,主频高达32MHz,32KB FLASH,4KB Bootloader,1.5KB SRAM,2KB EEPROM,12bit ADC,2路8bit共周期PWM和3对6通道16bit互补PWM,4个16bit定时器,2路 UART,SPI,IIC,数字端口全映射,96bit ID,LVR、LVD、看门狗、CRC校验等容错功能,提高芯片的可靠性,提供QFN24/TSSOP20/QFN20/SOP20/SOP16等封装,-40℃~+105℃。工业级产品,具有高抗干扰性和低功耗等特性,用于家电、工控、便携设备等多种智能控制的领域。BLDC 电机控制MCU—MC51F74241T 8051 FLASH型MCU,24MHz主频,18KB FLASH,2KB SRAM,128BEEPROM-IiKe,2.0至5.5V供电,-40至+105°C工作温度,集成高精度1Msps 12bit ADC(带6通道自动扫描),2个ACMP,1个OPA,48MHz 6通道16位PWM(带刹车功能,支持周期/归零/占空比触发Timer或ADC),4个16位定时器,2路UART,SPI,单周期16x16bit和8周期32/16bit的硬件乘除法器。广泛应用于电动工具,风机,水泵等产品的电机控制。FOC&车规控制专用MCU-MS60F302632位ARM Cortex-M0内核FLASH型MCU,最高主频72MHz,128KB FLASH ROM,16K SRAM,1个12位高速ADC,4个12位DAC, 21通道DMA,3个32位独立通道高级Timer, 3个16位独立通道高级Timer,8路电机专用互补输出PWM,1个USART ,3个UART,2个SPI,2个I2C,1个CRC,1个CORDIC,2路CMP,2路运算放大器,1个SWD调试接口。芯片支持-40℃~105℃,提供LQFP64/48/32、QFN40/32封装。应用于汽车警报系统、车身网络系统、暖气空调系统、通讯光模块、BMS、FOC、BLDC电机驱动、医疗设备等 -
成都蓉矽半导体有限公司
成都蓉矽半导体有限公司 (NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.) 成立于2019年,是致力于第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件设计与开发的高新技术企业。 蓉矽拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队,整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台,结合大陆封测和应用解决方案,建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链,独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。 蓉矽碳化硅产品分为高性价比的“NovuSiC®”和高可靠性的“DuraSiC®”系列。产品涵盖碳化硅EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky)二极管与碳化硅MOSFET;硅基产品有175˚C高结温的理想二极管MCR®(MOS-Controlled Rectifier)及FRMOS(Fast Recovery MOSFET)。广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。
查看产品详情蓉矽半导体碳化硅1200V 75mΩ NovuSiC® MOSFET① 与台湾汉磊科技在SiC 6英寸工艺平台上进行紧密合作,采用自对准、衬底减薄和基于窄P+型源区工艺与PWELL电场屏蔽和JFET区设计等最先进工艺制程与设计技术。 ② 基于碳化硅MOSFET静态导通损耗、动态开关损耗,综合设计产品性能、鲁棒性、可靠性,同时降低产品静态损耗和器件开关耗损。 ③ 兼顾比导通电阻和栅氧化层电场强度,通过优化栅氧工艺、栅氧化层电场强度,降低结终端的曲率效应等举措来提高器件鲁棒性与长期可靠性。 产品亮点: ① VGS=20V时,导通电阻为75mΩ,比导通电阻为4.6mΩ·cm²,在国内位居前列; ② VDD=800V时,短路耐受时间≥3μs, 动态性能达到国际水平; ③ 1200V耐压时,JFET区栅氧化层电场强度远小于常规4.0MV/cm限制,实现栅氧化层高可靠性; ④ Qgd仅为15nC,更低的动态损耗; ⑤ 灵活的Vth设计,可满足低压驱动和高压驱动需求; ⑥ 通过AEC-Q101车规标准考核; ⑦ 可应用于光储、电动汽车、充电桩和OBC等领域