东芯半导体股份有限公司
Dosilicon Co., Ltd.
东芯半导体股份有限公司成立于2014年，总部位于上海，在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司，矢志成为领先的存储芯片设计公司，服务全球客户。
作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。
Dosilicon Co., Ltd. was founded in 2014. It is headquartered in Shanghai with branches or subsidiaries in Shenzhen, Nanjing, Hong Kong, and South Korea. We are determined to become a leading memory company serving customers all over the world.
As a Fabless company, Dosilicon focuses on the research and development , design and sales of NAND Flash /NOR Flash /DRAM carrying independent intellectual property. Currently, Dosilicon is one of few memory companies who can provide NAND / NOR / DRAM design process and product scheme at the same time in China.
产品展示
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SPI NAND Flash
单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，并带有内部ECC模块，使其在满足数据传输效率的同时，既节约了空间，又提升了稳定性。产品现拥有38nm及2xnm的成熟工艺制程，目前工艺制程已经推进至1xnm先进工艺制程。产品可提供3.3V /1.8V两种电压，具备WSON、BGA多种封装形式。
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PPI NAND Flash
兼容传统的并行接口标准，高可靠性。可提供容量从1Gb到16Gb， 3.3V/1.8V两种电压，多种封装方式的产品，以满足不同应用场景。在网络通信，智能音箱，机顶盒等领域中广泛应用。
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SPI NOR Flash
可提供通用SPI接口、不同规格的NOR Flash，容量从64Mb到1Gb，电压为1.8V，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式。可广泛应用于各种应用场景。
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DDR3(L)
东芯的DDR3（L）产品具备高传输速率以及低工作电压。可提供1.5V/1.35V两种电压模式，具有标准SSTL接口、8n-bit prefetch DDR架构和8个内部bank的DDR3 SDRAM，是主流的内存产品。在网络通信，消费电子，智能终端，物联网等几乎所有电子产品领域都有广泛应用。
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MCP
东芯MCP系列产品具有NAND Flash和DDR多种容量组合，Flash和DDR均为低电压的设计，核心电压1.8V可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。其中DDR包含LPDDR1/LPDDR2两种规格使其选择更加灵活丰富。MCP可将Flash和DDR合二为一进行封装，简化走线设计，节省组装空间，高效集成电路，提高产品稳定性。
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LPDDR Series
东芯的LPDDR系列产品具有LPDDR1, LPDDR2, LPDDR4X三个系列。 LPDDR1的核心电压与IO电压均低至1.8V，LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V，LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V，因此非常适合应用在各种移动设备中。LPDDR系列产品将广泛应用于可穿戴/遥控设备等便携式产品。