蓉矽半导体
Novus Semiconductors
成都蓉矽半导体有限公司(NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.)是一家专注碳化硅(SiC)功率器件设计与开发的高新技术企业。
蓉矽半导体于2019年成立于成都市，坚持自主开发碳化硅(SiC)功率器件和模块产品。围绕市场需求，设有高性价比的NovuSiC®(工业级)和高可靠性的DuraSiC®(车规级)碳化硅MOSFET、碳化硅二极管(EJBSTM)以及碳化硅模块(NovuPower®)产品。
蓉矽半导体建立了符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链。产品广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。
Novus Semiconductors Co., Ltd. (Chengdu), established in 2019, specializes in Silicon Carbide (SiC) power device development for industrial and automotive sectors.
We design and produce customized SiC power devices and modules, including NovuSiC® (Industrial-grade), DuraSiC® (Automotive-grade) SiC MOSFETs, SiC Schottky diodes (EJBS™), and SiC modules (NovuPower®).
Our products meet the rigorous IATF 16949 standard and are extensively used in industrial power supplies, motors, PV inverters, energy storage, charging stations, and electric vehicles.
产品展示
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1200V 40mΩ NovuSiC®碳化硅MOSFET
NC1M120C40HT是蓉矽半导体推出的1200V 40mΩ 碳化硅MOSFET，通过了第三方AEC-Q101车规级可靠性考核实验。拥有全面优异的电学性能、鲁棒性和车规级可靠性，广泛应用于光伏 风电 汽车电子 工业电源 储能系统等领域中。
该产品大幅度降低静态损耗的同时减小动态损耗，在更高频的应用环境下，可大幅降低外围电路电感、电容、滤波器和变压器的体积，提高系统整体功率密度，降低系统总成本。
产品特点：
-短路耐受时间＞3uS
-栅氧化层长期可靠
-低导通电阻，低开关损耗
-灵活的阈值电压设计，满足高压/低压驱动
-动态性能优异 点击查看更多 点击收起 -
1200V 30A NovuSiC®EJBS 碳化硅二极管
NC1D120C30KT是蓉矽推出的1200V 30A NovuSiC®EJBS 碳化硅二极管，主要应用于 光伏 汽车电子 充电桩 工业电源 储能等领域。
蓉矽通过器件结构创新与制造工艺优化，获得了有超低漏电（2μA）且抗浪涌电流能力等同MPS (Merged PiN Schottky)结构的碳化硅JBS (Junction Barrier Schottky)，称之为“EJBS” (Enhanced Junction Barrier Schottky Diode)。
产品特点：
-极高的抗浪涌电流能力
-低反向漏电
-低正向导通压降
-零反向恢复电流
-175℃工作结温 点击查看更多 点击收起 -
300V 20A MCR®️ 硅基二极管
MCR®（MOS-Controlled Rectifier）是有高耐压、超低漏电、低导通压降和高结温性能的理想硅基二极管，可应用在工业电源、便携式储能、光伏等领域。
产品特点：
- MCR®是耐压、漏电、导通压降与结温性能卓越的理想二极管
- 反向漏电为nA级
- 高抗浪涌电流能力