意法半导体
STMicroelectronics
意法半导体拥有5万名半导体技术的创造者和创新者，掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家半导体垂直整合制造商(IDM)，意法半导体与二十多万家客户、成千上万名合作伙伴一起研发产品和解决方案，共同构建生态系统，帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇，满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能，让电源和能源管理更高效，让云连接的自主化设备应用更广泛。意法半导体承诺将于2027年实现碳中和(在范围1和2内完全实现碳中和，在范围3内部分实现碳中和)。详情请浏览意法半导体公司网站：www.st.com。
At ST, we are over 50,000 creators and makers of semiconductor technologies mastering the semiconductor supply chain with state-of-the-art manufacturing facilities. As an integrated device manufacturer, we work with more than 200,000 customers and thousands of partners to design and build products, solutions, and ecosystems that address their challenges and opportunities, and the need to support a more sustainable world. Our technologies enable smarter mobility, more efficient power and energy management, and the wide-scale deployment of cloud-connected autonomous things. We are committed to achieving our goal to become carbon neutral on scope 1 and 2 and partially scope 3 by 2027.
Further information can be found at www.st.com.
产品展示
-
意法半导体（ST）第三代碳化硅系列产品
ST第三代碳化硅系列产品在新能源车，光伏，电源等表现优异，为中国的双碳战略目标的实现做出了杰出贡献。ST SiC MOSFET的主要特点包括：
• 汽车级（AG）合格器件
• 应对超高温的能力（最高TJ = 200°C）
• 超高开关工作频率和极低开关损耗
• 低导通状态电阻
• 栅极驱动可兼容现有IC
• 稳定的超快速本体二极管
ST 的SiC MOSFET产品组合包括最先进的封装（HiP247、H2PAK-7、TO-247长引线、STPAK和HU3PAK），专为满足汽车和工业应用的严格要求而设计。
点击查看更多 点击收起 -
碳化硅（SiC）二极管
ST 的碳化硅二极管产品系列电压范围从600到1200 V，包括单、双二极管。 它们有多种封装，从DPAK到TO-247以及绝缘的TO-220AB/AC，为设计者们提供了极大的灵活性，具有高效、稳定和快速投放市场等优势。ST 的SiC二极管显示了显著的功耗降低，通常用于硬开关应用，如高端服务器和电信供电，它还能用于太阳能逆变器、电机驱动器和无中断供电（UPS）。ST 的汽车级650 V SiC二极管 – 具有AEC-Q101认证和PPAP能力 – 具有市场上最低的前向压降（VF），在电动车辆（EV）应用中具有最优的效率。
-
PowerGaN G-HEMT™ 650V 产品 SGT120R65AL
作为ST的G-HEMT 晶体管产品家族的首款产品，650V SGT120R65AL具有典型值75mΩ和最大120mΩ的导通电阻 (Rds(on))、15A 的最大输出电流和优化栅极驱动的开尔文源极引脚可以有效增强其抗干扰能力。具有非常低的寄生电容，零反向恢复Qr，从而使其可以应用于高开关频率。这系列产品属于ST的STPOWER 产品组合，能够显著降低各种电子产品的能耗和尺寸。该系列的目标应用包括消费类电子产品的内置电源，例如，充电器、PC机外部电源适配器、LED 照明驱动器、电视机等家电。在功率更高的应用中，PowerGaN器件也适用于电信电源、工业驱动电机、太阳能逆变器、电动汽车及其充电设施
-
STGAP系列隔离栅极驱动器
选择正确的栅极驱动器对于实现最佳功率转换效率非常重要。随着 SiC 技术得到广泛采用，对可靠安全的控制解决方案的需求比以往任何时候都更高，而ST的 STGAP 系列电气隔离栅极驱动器在此成为必不可缺的一环。STGAP2SICS系列针对SiC MOSFET 的安全控制进行了专门优化，并可在高达1200V的高压下工作，使其成为节能型电源系统、驱动器和控制装置的绝佳选择。 从工业电动汽车充电系统到太阳能、感应加热和汽车 OBC DC-DC，STGAP2SICS系列可简化设计、节省空间并增强稳健性和可靠性。
-
STPOWER ACEPACK模块
ACEPACK电源模块提供种类丰富的产品组合，涵盖多种转换器拓扑，广泛用于汽车和工业应用。ST庞大的产品组合能够让您为应用选择合适的电源转换器拓扑结构。针对汽车市场，ACEPACK模块专为主牵引逆变器、OBC、DC-DC和AC-DC转换器、暖通空调以及气候控制等应用而设计。在工业应用中，ACEPACK模块可在充电站、太阳能逆变器、UPS和电机驱动应用中提供显著的优势。该产品组合包括硅IGBT和SiC MOSFET电源模块，标称额定电压范围650至1200V，面向从几十千瓦到300千瓦以上功率范围的应用。
-
STPOWER SLLIMM智能模块
如今的市场需要高性能解决方案来满足节能性、紧凑性和可靠性方面的严格要求，以及在家庭电器和低/中功率电机驱动应用、暖通空调机组、伺服电机和其他高功率工业驱动器领域中降低系统成本。 为满足这些需要，ST开发了SLLIMM（小型低损耗智能成型模块）系列紧凑、高效、双列直插式智能功率模块 (IPM)，并配有可选的额外功能。SLLIMM系列拥有非常庞大的产品组合，SLLIMM nano, SLLIMM第2系列, SLLIMM高功率（HP）结合了不同的封装选项和意法半导体一流的技术，能够满足工业应用的广泛需求.
-
高压GaN转换器VIPerGaN系列, 实现高压转换器的功率密度最大化
高压GaN转换器嵌入GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）和先进的PWM控制器。旗舰产品VIPERGAN50是一款高压转换器，在小型QFN 5x6mm封装中嵌入了先进的PWM控制器和高效650V GaN功率晶体管。它为紧凑型快充充电器、适配器和提供了极好的设计机会。该转换器针对快速充电、家用电器、家用和楼宇自动化以及空调应用中的准谐振反激拓扑进行了优化。高压氮化镓转换器的使用可以实现更高的功率密度、更高的效率、有限的元件数量以及减小的PCB尺寸和成本。同时还配有全套保护装置，可防止主线变化、过载、短路和过热。
-
MASTERGAN系列- 系统级封装功率器件
MASTERGAN系列是一款先进的系统级封装功率器件，以半桥配置集成了一个栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。MASTERGAN在上下驱动部分均具有UVLO保护，可防止电源开关在低效率或危险条件下运行，并且互锁功能可避免出现交叉传导的情况。输入引脚的范围经过扩展，可与微控制器、DSP单元或模拟控制器轻松连接。MASTERGAN系列的工作温度范围为-40 °C至125 °C。该系列器件均采用紧凑型9x9 mm QFN封装。
如今我们的MasterGaN平台包含了MasterGaN1、MasterGaN2、MasterGaN3、MasterGaN4、MasterGaN5、MasterGaN1L