东芯半导体股份有限公司
Dosilicon Co., Ltd.
东芯半导体股份有限公司成立于2014年，总部位于上海，在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司，矢志成为领先的存储芯片设计公司，服务全球客户。
作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。
Dosilicon Co., Ltd. was founded in 2014. It is headquartered in Shanghai with branches or subsidiaries in Shenzhen, Nanjing, Hong Kong, and South Korea. We are determined to become a leading memory company serving customers all over the world.
As a Fabless company, Dosilicon focuses on the research and development , design and sales of NAND Flash /NOR Flash /DRAM carrying independent intellectual property. Currently, Dosilicon is one of few memory companies who can provide NAND / NOR / DRAM design process and product scheme at the same time in China.
产品展示
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SPI NAND Flash
单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，并带有内部ECC模块，使其在满足数据传输效率的同时，既节约了空间，又提升了稳定性。产品现拥有38nm及2xnm的成熟工艺制程，目前工艺制程已经推进至1xnm先进工艺制程。产品可提供3.3V /1.8V两种电压，具备WSON、BGA多种封装形式，不仅能满足常规应用场景，使其在目前日益普及的由电池驱动的移动互联网及物联网设备中保持低功耗，有效延长设备的待机时间，也更灵活地适用于不同应用场景。
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PPI NAND Flash
兼容传统的并行接口标准，高可靠性。可提供容量从1Gb到16Gb， 3.3V/1.8V两种电压，多种封装方式的产品，以满足不同应用场景。在网络通信，智能音箱，机顶盒等领域中广泛应用。
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SPI NOR Flash
可提供通用SPI接口、不同规格的NOR Flash，容量从64Mb到1Gb，1.8V/3.3V 两种电压，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式。可广泛应用于各种应用场景。
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DDR3(L)
东芯的DDR3（L）产品具备高传输速率以及低工作电压。可提供1.5V/1.35V两种电压模式，具有标准SSTL接口、8n-bit prefetch DDR架构和8个内部bank的DDR3 SDRAM，是主流的内存产品。在网络通信，消费电子，智能终端，物联网等几乎所有电子产品领域都有广泛应用。
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MCP
东芯MCP系列产品具有NAND Flash和DDR多种容量组合，Flash和DDR均为低电压的设计，核心电压1.8V可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。其中DDR包含LPDDR1/LPDDR2两种规格使其选择更加灵活丰富。MCP可将Flash和DDR合二为一进行封装，简化走线设计，节省组装空间，高效集成电路，提高产品稳定性。
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LPDDR Series
东芯的LPDDR系列产品具有LPDDR1, LPDDR2, LPDDR4X三个系列。 LPDDR1的核心电压与IO电压均低至1.8V，LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V，LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V，因此非常适合应用在各种移动设备中。LPDDR系列产品将广泛应用于可穿戴/遥控设备等便携式产品。