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1200V 40mΩ 碳化硅MOSFET NC1M120C40HT
数量：500个
免费申请截止日期:2024年3月24日
本产品申请后须在IIC Shanghai 现场领取 ，展台号：1D16
IIC 展位号：1D16
开发板详情
蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V，最大可持续电流达75A，NC1M120C40HT采用TO-247-4封装，已通过第三方检测机构的AEC-Q101车规级可靠性考核和HV-H3TRB加严可靠性考核，同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付。
产品特点如下：
1.采用沟道自对准工艺和凸多边形密铺的元胞布局形式，增加沟道密度、降低沟道电阻，提升器件在单位面积内的电流能力；
2.采用多晶硅网络优化技术，充分降低栅极内阻，提高器件在开关过程中对输入电容的充放电速度，降低器件开关损耗；
3.采用结终端优化技术，降低器件在结终端的曲率效应，提高器件耐压能力；采用开尔文源的PAD设置，降低封装中的杂散电感；
4.VDD=800V时，短路耐受时间>3μs，TO-247-4封装测试开启损耗为635μJ；