成都蓉矽半导体有限公司
NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.
成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年，是致力于第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业。公司产品分为高性价比的“NovuSiC®”和高可靠性的“DuraSiC®”系列。产品涵盖碳化硅EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky)二极管与碳化硅MOSFET；硅基产品有175˚C高结温的理想二极管MCR®（MOS-Controlled Rectifier）及FRMOS（Fast Recovery MOSFET)。广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。
产品展示
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蓉矽半导体碳化硅1200V 75mΩ NovuSiC® MOSFET
① VGS=20V时，导通电阻为75mΩ，比导通电阻为4.6mΩ·cm²，在国内位居前列；
② VDD=800V时，短路耐受时间≥3μs, 动态性能达到国际水平；
③ 1200V耐压时，JFET区栅氧化层电场强度远小于常规4.0MV/cm限制，实现栅氧化层高可靠性；
④ Qgd仅为15nC，更低的动态损耗；
⑤ 灵活的Vth设计，可满足低压驱动和高压驱动需求；
⑥ 通过AEC-Q101车规标准考核；
⑦ 可应用于光储、电动汽车、充电桩和OBC等领域