深圳市威兆半导体股份有限公司
Shenzhen Vergiga Semiconductor Co.,Ltd
深圳市威兆半导体股份有限公司成立于2012年，总部位于深圳市南山智园崇文园区，毗邻中科院深圳研究院、南方科技大学等研究机构，在北京、上海、珠海、成都、韩国水原等地设有研发中心及办事处，是国家级专精特新重点“小巨人”企业。
自成立以来，威兆半导体始终聚焦功率器件研发与应用技术研究，凭借多年的科研攻关已成为少数同时具备低压、中压、高压全系列功率MOSFET / IGBT单管和模块，以及特殊半导体制程设计能力的先进半导体设计公司。其产品广泛应用于汽车电子、光伏储能、PC/服务器、通信电源、工业控制、消费电子等领域。
Vergiga Semiconductor was founded in 2012. Vergiga is now headquartered in Shenzhen, China and has branch offices in Beijing, Shanghai, Zhuhai, Chengdu and Korea.
Vergiga is now focusing on power device research and developing state-of-the-art technology for power management solutions. The product portfolio covers LV/HV-MOSFETs, super-junction MOS and IGBTs.
Vergiga’s products are widely used in quick chargers, lithium-ion battery protection, electric welding machines, high power DC motor drives, UPS power system, solar inverters, high speed dot matrix printers, industrial sewing machine.
产品展示
-
场效应管VS12010CACQ
该产品为晶圆级封装的12V 背靠背MOSFET，采用先进的工艺制程实现超小型化外形及超低导通阻抗，打破了国外垄断；充足的产能保证了海量市场供应链本土化进程的推进。领先的晶圆级封装工艺，业界最小产品尺寸及最低导通阻抗。
-
场效应管VSK006N15HS-G
基于最新150V工艺平台，该规格产品动态/静态参数已做到极致优化，综合性能已达到国际顶尖水平，可广泛应用于通信、光伏逆变、新能源汽车等高端领域。业界最优FOM值(150V)，通过最严苛的可靠性测试。
-
绝缘栅双极型晶体管HCKW75N65BH2
该IGBT产品使用市场主流的Trench+Field Stop技术，采用超薄片工艺平台，减薄最薄厚度仅有60~70um；采用高能离子注入+激光退火，以达到导通损耗低、开关损耗小、功率密度高、鲁棒性强等优点，产品性能可达到行业一流水平；产品保持低损耗同时也有很高的可靠性，可满足工业、新能源、汽车等领域的应用需求。
-
场效应管VSM012N20HS-G
基于最新200V工艺平台，该规格产品动态/静态参数已做到极致优化，综合性能已达到国际顶尖水平，可广泛应用于通信、光伏逆变、新能源汽车等高端领域。业界最优FOM值(200V)，通过最严苛的可靠性测试。
-
场效应管VSU030N65HS3-F
该SJ MOSFET产品使用先进的EPI多层外延技术，导通损耗低、开关损耗小、功率密度高、鲁棒性强等优点，产品性能可达到行业一流水平；产品保持低损耗同时也有很高的可靠性，可满足工业、新能源、汽车等领域的应用需求。