英诺赛科（深圳）半导体有限公司
Innoscience (Shenzhen) Semiconductor Co., Ltd.
英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析、销售与应用于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。公司主要产品涵盖从低压到高压（30V-650V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。
当前已在激光雷达、数据中心、5G通讯、高效快充、无线充电、车载充电器、LED照明等方面发布产品方案，并与国内多家应用头部企业开展深度合作，实现量产。出货量超一亿颗。作为技术全球领先的第三代半导体公司，英诺赛科在8英寸硅基氮化镓核心技术和关键工艺领域已实现重大突破。
Innoscience is an Integrated Device Manufacturer (IDM) company founded in December 2015. With the development of new technologies, the electric power grid and power electronic systems across the world are undergoing a massive transformation. Our vision is to create an energy ecosystem with most effective and low-cost Gallium Nitride on Silicon (GaN-on-Si) power solutions. Innoscience is producing today 10,000 wpm (wafers per month) and keeps expanding its production capacity towards and beyond 70,000 wpm.
产品展示
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INN100W032A
英诺赛科面向同步整流、D类音频、高频DC-DC转换器等应用场景推出的增强型氮化镓功率管，适用于充电宝、户外电源、通信基站、电机驱动器等产品领域，有着极低的栅极电荷和超低导通电阻。耐压100V，导阻3.2mΩ，连续电流60A，脉冲电流可达230A，能够适应-40℃到150℃工作环境，零反向恢复电荷。FCSP 3.5mm x 2.13mm极小封装，大大节省占板面积。降低驱动损耗，提高工作频率。
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INN650DA260A
一颗高性价比、耐压650V的氮化镓高压单管，瞬态耐压800V，最大导阻260mΩ，DFN5×6封装。适用于65-120W的反激架构，120-300W的LLC架构。支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。