英商劍橋氮化鎵器件有限公司（Cambridge GaN Devices，簡稱CGD）專注於 GaN 電晶體和 IC 的設計、開發及商業化，致力於推動能源效率和提高功率密度層面的根本變革。我們的使命是提供各種簡便節能的 GaN 解決方案，以便將創新成果帶入日常生活。CGD的ICeGaN™ 技術已被證實適合大規模生產，公司正在快速擴展，製造商和代理商的合作夥伴關係也陸續到位。CGD 是從劍橋大學分立出來的無晶圓廠半導體公司， 創辦人兼執行長 Giorgia Longobardi 博士及技術長 Florin Udrea 教授等公司創辦人仍與劍橋大學享有盛譽的高電壓微電子及感測器小組 (HVMS) 維持密切合作。在 CGD 專注推動創新的努力下，ICeGaN HEMT 技術取得一系列強大且持續擴展的 IP 組合，享有堅實可靠的智慧財產保障。CGD 團隊所擁有的技術和商業專業知識，加上在電力電子市場受到的肯定與良好記錄，是公司專有技術在市場上獲得認可的基礎。

Cambridge GaN Devices (CGD) designs, develops and commercialises GaN transistors and ICs enabling a radical step change in energy efficiency and compactness. Our mission is to bring innovation into everyday life by delivering effortless energy-efficient GaN solutions. CGD’s ICeGaN™ technology is proven suitable for high volume production and the company is rapidly scaling up with manufacturing and customer partnerships in place. A fabless enterprise, CGD was spun out from Cambridge University, and its founders, CEO Dr Giorgia Longobardi and CTO Professor Florin Udrea, still retain strong links with the world-renowned High Voltage Microelectronics and Sensors group (HVMS) at the University. CGD’s ICeGaN HEMT technology is protected by a strong and constantly-growing IP.